【大.纪.元;12月14日报导】(中央社记者张建中新竹14日电)12 月上旬储存型快闪记忆体 (NAND Flash)合约价出炉，继11月下旬产品价格止跌回稳后，12月上旬合约价展开反弹走势，上涨3%至5%。

根据集邦科技调查，12月上旬市场主流的32Gb MLC颗粒合约均价重回5美元关卡之上，达5.22美元，较11月下旬上涨4.82%；32Gb TLC合约均价也重回4美元关卡之上，达4.02美元，上涨3.08%。

集邦科技表示，日本记忆体大厂东芝 (Toshiba)位于三重县四日市的NAND Flash厂意外跳电，恐将影响明年1、2月NAND Flash产出，市场预期心理是激励12月上旬NAND Flash合约价弹升的主要动力。

展望未来，集邦科技预期，上半年为传统淡季，尽管明年第1季NAND Flash市场仍将持续供过于求，不过，因供应商放缓扩产，加上平板电脑、智慧型手机新机种上市助益，可望减缓淡季效应影响。