【大.纪.元;5月6日报导】（中央社记者吴佳颖台北6日电）英特尔（Intel）宣布3D、三闸（Tri-Gate）电晶体技术年底进入量产，会用于Ivy Bridge处理器上，也可协助开发出更高整合度的Intel Atom（凌动）处理器，提高效能。

英特尔宣布，于2002年首次公开命名为Tri-Gate的3D立体电晶体设计，预计年底进入量产，会率先用于Ivy Bridge处理器。

英特尔表示，今年年底量产的Ivy Bridge系列22奈米微处理器，是第一批采用3D、三闸电晶体的量产晶片，可搭载于笔记型电脑、服务器以及桌上型电脑。

英特尔在发布的新闻稿上说明，3D、三闸重新打造了电晶体，将传统的2D（平面）闸极换成3D硅晶薄片。

这些做成薄片状的电晶体垂直接附在硅基板的表面，薄片 3个平面上各置有一个闸极，用来控制电流，两侧各有一个，第 3个置于顶端，而2D平面电晶体只有在顶端处有唯一的闸极。

英特尔表示，如此一来，3D三闸电晶体有更多的控制元件，让电晶体在切换到“开启”状态时能流入更多的电流，而在“关闭”的低耗电状态，电流尽可能接近于零，且能快速的在这两种状态间切换，以达到更好的效能。

英特尔表示，22奈米的3D三闸电晶体在低电压模式时，效能较目前英特尔Sandy Bridge处理器使用的32奈米平面电晶体高出37%，更适用于各种迷你掌上型装置；同时，在运作上能减少电晶体在开启/关闭反复切换所耗费的电力。

另外，3D三闸电晶体技术也将协助开发更高整合度的Intel Atom处理器，提高效能，满足市场对于整体耗电、成本以及尺寸等方面的需求。

英特尔表示，这是电晶体演进的重大突破，是自从硅电晶体在50年前发明以来，首度采用3D立体结构的电晶体即将迈入量产。

英特尔指出，迄今为止，所有电脑、手机、消费电子产品，甚至连汽车、飞机、家用电器、医疗设备，以及成千上万种日常装置内的电子控制元件，从过去数十年来皆使用平面结构的电晶体；3D三闸电晶体的量产，将突破2D平面电晶体结构，带来巨大的改变。