美科学家发明超高密度的记忆体电路 | 大紀元
大紀元
美科学家发明超高密度的记忆体电路
2007-02-01 11:46 中港台时间|2000-01-01 24:00 更新
0

【大..;2月1日讯】(大..;记者林节编译)美国加州的研究人员发明出世界上密集度最大的记忆体电路,只有人类的一个白血球细胞般大小,但比目前的标准记忆体电路的密集度超出100倍。

根据newsfactor网站的报导,这个由加州理工学院(California Institute of Technology)和加州大学洛杉矶分校(University of California, Los Angeles)的科学家们发明的记忆体电路,有16万位元的容量。研究结果发表在自然(Nature)期刊上。

研究人员说真正令人激动的突破是该记忆体电路的密度大小,达到每平方厘米有一千亿位元容量,是目前记忆体电路密集度的100多倍。

专家们认为,这项新的发明显示有可能将集成电路做到及其小的芯片上。尽管至少需要十年的时间才有可能大规模的生产,但新发明还是会刺激制造商发明新工艺,将更多的电路挤压进更小尺寸的芯片里。

这项研究也显示出芯片技术的发展速度超过了摩尔定律的预期。摩尔是英特尔公司的创始人之一,他在1965年发现,芯片上集成的电晶体数量大约每两年便翻一倍。

16万记忆位元的排列,按照研究人员的描述,就像一个大型的棋盘。400条硅丝和400条钛丝纵横交错,中间分布着一层分子开关。

每一个记忆位元只有15奈米宽,作为比较,目前记忆体电路的记忆位元宽度有140奈米。一奈米相当于十亿分之一米。
(http://www.dajiyuan.com)

标签
相关专题:
如果您有新闻线索或资料给大..;,请进入安全投稿爆料平台
留言
  • ..;保留删除恶意留言的权利,包括低俗、误导或攻击信仰等内容
本网站图文內容归大..;所有, 任何单位及个人未经许可,不得擅自转载使用。
Copyright© 2000 - 2026 The Epoch TimesAssociation Inc.All Rights Reserved.