【大.纪.元;2026年07月22日讯】7月16日，国产存储芯片DRAM（动态随机存取存储器）企业长鑫科技集团股份有限公司（长鑫科技）正式开启科创板申购。发行公告显示，长鑫科技发行价8.66元/股（人民币，下同），初始发行66.88亿股，占发行后总股本10%，联席保荐人中金公司获授最高15%超额配售选择权。按照超额配售选择权行使前的发行后总股本计算，对应市值达5,791.88亿元。

募资方面，在超额配售选择权行使前，预计募集资金总额579.19亿元，扣除发行费用后约576.38亿元。若超额配售选择权全额行使，预计募集资金总额可达666.07亿元，扣除发行费用后约663.10亿元。这一募资规模超过2020年中芯国际上市时创下的532亿元纪录，成为科创板历史上最大IPO，也是2026年以来A股市场最大规模的IPO项目。

据悉，长鑫科技募集资金将全额投向DRAM技术升级和产能扩建。公开资料显示，长鑫科技成立于2016年，总部位于安徽省合肥市。跟据CFM闪存市场数据，2026年第一季度，长鑫科技DRAM市场份额（按销售收入计算）为7.7%，排在三星电子（40.5%）、SK海力士（29.6%）和美光科技（19.9%）之后。

长鑫科技并非一家普通的市场化半导体企业，自成立之日起，它就承载着中共“存储芯片自主可控”的战略任务。2016年，合肥市政府联合兆易创新创始人朱一明等合作成立长鑫科技（前身为睿力集成电路有限公司），启动了总投资1,500亿元的12英寸存储器晶圆制造基地（代号“506项目”）。目标是突破DRAM存储芯片“卡脖子”瓶颈，实现核心技术自主可控。

该项目分多期推进，一期项目投资180亿元，合肥市产业投资控股有限公司（合肥产投）承担主要风险和重资产投入，出资144亿元，占股80%；兆易创新出资36亿元，占20%。此后长鑫科技长期亏损，生存高度依赖政府政策与资源支持。2022—2024年亏损分别为83亿、163.4亿、71.4亿，截至2025年底，公司累计亏损约366.5亿元。

合肥国资不仅提供启动资金，还在亏损阶段持续加码，通过国家大基金、地方基金进行了多轮股权融资（如2020年156亿融资轮），并通过推动本地产业集群（如材料、设计、制造、封装测试）建设提供全方位支撑，长鑫厂区周边甚至有“零距离”配套企业。背靠国家产业资本托底，长鑫科技从诞生之日起就是典型的“举国体制+地方国资”产物。

此外，作为国产替代项目，长鑫科技还获得土地、融资、供应链资源等全方位支持。当地政府不但提供低成本土地、厂房及基础设施配套，还给予政策性融资便利、人才引进、税收优惠、产业政策倾斜等支持。数据显示，2023—2025年间，长鑫科技获得了至少60亿元政府补贴（包括稳岗、财政贴息等），这是其在多年亏损下还能够维持生存的关键原因之一。

此后，长鑫科技先后引入阿里巴巴、腾讯、小米等产业资本，股权结构逐步演变为无控股股东、无实际控制人的多元化格局。但这并不意味着地方国资影响力消失，截至IPO前，合肥国资体系（清辉集电、长鑫集成、产投壹号、合肥建长等）通过多层嵌套持股，合计持有约35%—37%的股份，仍是公司最大的股东群体，保持着重要影响力。

2023年，中共网信办对美光在华产品进行了网络安全审查，认定其存在较严重的网络安全问题隐患，要求中国境内所有关键信息技术设施停止采购美光产品。这一纸禁令把美光挤出中国关键市场，也给国产DRAM产品腾出了空间。此后，美光中国的收入占比显著下降，从高点超20%跌至2024财年的约12%，到2025财年进一步降低到约7%。

中国是全球最大的PC、智能手机和服务器生产及组装基地，拥有庞大的应用市场。在中共国产替代的要求下，国内手机、服务器厂商开始加速导入本土存储供应商。长鑫科技借此迅速进入国产终端供应链体系，并在部分国产安卓手机品牌中实现规模化应用。数据显示，截至2026年初，长鑫科技DRAM产品在国产安卓手机市场中的渗透率已经超过30%。

有媒体报导称，中共正积极推动长鑫科技通过技术授权、知识产权（IP）合作等方式，将其DRAM技术知识产权向国内厂商授权转移。通过IP共享，形成“1+N”格局，带动国内其它DRAM厂商的发展，主要受益方包括福建晋华集成电路（JHICC）、昇维旭（Swaysure）、武汉新芯（XMC）等。不过，目前尚未见到相关政府文件或企业公告公开证实上述安排。

如果只看财务数据，长鑫科技正在经历一轮业绩大爆发。招股意向书显示，2025年，公司成功扭亏为盈，实现营业收入617.99亿元，同比增长155.62%，归母净利润18.75亿元。2026年第一季度，公司营收达508亿元，同比增长719.13%，归母净利润247.62亿元。公司预计2026年上半年营收将达到1,100亿—1,200亿元，归母净利润可达500亿—570亿元。

长鑫曾在2025年12月的申报文件中预计，2025财年母公司净亏损为6亿—16亿元。然而短短五个月后，招股书却报告18.7亿元的归母净利润，合并报表收入甚至超过此前预估的两倍。据SemiAnalysis测算，今年一季度，长鑫的出货量环比增长11%，平均售价环比上涨57%（去年Q3和Q4环比增长63%、68%），而其DDR5单位比特成本却比三大厂高30%以上。

这充分表明，长鑫科技这一轮利润暴增靠的是低基数加上全行业涨价，而非产品竞争力或成本结构出现了实质性提升。DRAM价格快速上涨放大了盈利能力，直接推动公司的营收和利润井喷。换句话说，长鑫科技能够赚钱不是因为生产效率更高了，而是因为芯片价格涨得太猛了。一旦周期下行、价格回落，那么它那30%的成本劣势就会原形毕露。

长鑫科技刚好撞上了一个历史级别的风口。2025—2026年，全球AI算力投资快速增长，带动HBM（高带宽内存）和服务器DRAM需求大幅增加，三大厂优先将产能转向HBM。HBM制造复杂度高、占用更多晶圆资源，直接压缩了标准DDR5/LPDDR5等通用DRAM的供给，而AI服务器和消费电子的市场需求却发生同步回暖，这就导致了DRAM合约价格暴涨。

此外，2025年三大厂集体发出DDR4停产通知，将成熟制程产能转向DDR5/HBM，导致DDR4供给骤减。但市场上需求仍然存在，使得DDR4的价格在2025年下半年快速上涨，甚至一度出现DDR4比DDR5更贵的倒挂现象。长鑫早期产能中DDR4占比高（后续转向DDR5），其新增产能正好承接了三大厂主动退出成熟DRAM市场后释放出的需求。

根据TrendForce的报告，2026年第一季度，常规DRAM合约价格环比上涨93%—98%，创下历史单季涨幅新纪录，直接带动整个DRAM产业第一季度营收环比增长81%。2026年第二季度，预计合约价格将再环比上涨58%—63%。这一轮涨价远超历史常规周期，主要源于结构性供需错配，而非终端需求全面爆发。一旦供给缓解或需求放缓，价格必将回落。

面向炙手可热的市场，三大厂均启动扩产：海力士清州M15X预计2026年放量；三星平泽P5计划2028年量产；美光爱达荷首厂预计2027年中投产，二号厂2028年投产。7月9日，美光将投资上调至2,500亿美元，纽约厂建成后将成为美国规模最大的半导体制造基地。当这些新建产能释放后，长鑫现有的定价体系还能否承受全球供给增加带来的冲击？

在7月15日的网上投资者交流会上，长鑫科技董事长朱一明承认，2025年下半年以来的业绩增长，确实受益于AI驱动的DRAM需求爆发及行业供需紧张。但DRAM行业具有强周期性，价格波动较大，且AI发展对DRAM市场需求存在不确定性。若宏观经济发生不利变化、AI需求不及预期或新产能集中释放，行业可能重回下行周期。

2026年6月10日，美国国防部（战争部）发布“中国军事企业（CMC）清单”（1260H清单）。长鑫科技被纳入名单，虽然它没有像在实体清单上的企业那样被直接禁止出口，但也意味着受到美国国防部相关采购限制以及投资警示管控。赴美上市这扇门被关上后，国内资本市场就成为长鑫科技的关键“输血管”，支持其继续投资产线和技术研发，以推进中共“自主可控”战略。

长鑫科技在2026年全力推进上市并非偶然。作为国产DRAM领域的“国家队”代表，其上市时机、募资规模和资本市场表现，带有明显的战略安排色彩，而非单纯的企业商业决策。长鑫科技从2025年12月30日IPO申请获受理，到2026年5月27日过会、6月12日获得注册批文，整个审核流程仅用165天，创下国内科创板科技企业IPO审核最快纪录。

2026年正值全球AI算力爆发、存储超级周期上行。HBM和高端DRAM需求井喷，长鑫业绩从多年亏损转为爆发，正处在最佳估值窗口。此时上市就能以高ASP和高利润兑现高市值（预期1万—4万亿元），远好于低谷期或周期下行时。如果错过这个历史级风口，后续价格一旦回落（TrendForce预计Q3涨幅已收敛至13%—18%），业绩和估值压力将显著增大。

DRAM产业是资本密集型行业，先进工艺研发和晶圆厂建设都需要持续投入数百亿元甚至上千亿元资金。随着长鑫进入DDR5及下一代DRAM研发阶段，公司对资金的需求显著增加。登陆资本市场，不仅能够通过IPO募集资金，更重要的是建立起持续融资平台，未来可通过增发、可转债等多种方式支持工艺升级、产能扩张和技术研发，提供长期稳定的资金来源。

更重要的是，公司上市将为现有股东带来巨额财富。招股意向书显示，长鑫科技无控股股东、无实际控制人，前五大股东几乎全是国资：合肥清辉集电持股21.67%、长鑫集成持股11.71%、大基金二期持股8.73%、合肥集鑫（员工平台）持股8.37%、安徽省投持股7.91%。合肥市级加区级国资持股约37%，再加上省级国资，安徽地方国资合计持股已接近47%。

多家主承销商（及其关联方）通过早期产业基金、直投、子公司等多路径持有长鑫科技股权，这也是本次IPO的显著特征之一。长鑫科技IPO承销团由中金公司、中信建投担任保荐机构及主承销商，国泰海通、国元证券、华泰联合、招商证券担任联席主承销商。值得注意的是，这六家主承销商同时也是公司“股东”，分别持有不同比例的股权。

此外，本次IPO战略配售比例高达50%，名单中包括全国社保基金、基本养老保险基金、国调基金二期及人保系（人保人寿/人保资本等）等国家级资金；和谐健康、国寿投资、阳光人寿、中邮人寿等大型险资；澜起科技、拓荆科技、安集科技、通富微电、中微公司等产业链上下游企业；小米、阿里云、传音、TCL、蔚来等下游应用厂商。

然而，市场对AI泡沫的担忧已令芯片股近期在全球市场承压，波动明显加剧。就在一周前的7月10日，SK海力士以265亿美元发行规模通过ADR（美国存托凭证）登陆纳斯达克，创下外国公司赴美上市交易最大纪录。上市首日收涨13%，风光无两。仅仅一个交易日之后，存储板块整体就遭受重挫，SK海力士股价暴跌15.4%，创18年来最大单日跌幅。

从全球DRAM市场结构来看，市场长期由三星、SK海力士和美光科技三家垄断，合计市占率超过90%，行业集中度依然非常高。长鑫科技近年来虽高速扩张，但与三星、海力士和美光相比，无论是技术、市场结构还是全球客户覆盖，仍存在明显差距。

由于缺少极紫外（EUV）光刻设备且受到美国设备出口管制，长鑫科技只能通过深紫外（DUV）光刻技术与多重曝光工艺进行替代，在技术节点上落后国际先进水平约两代，且难以突破HBM良率。在当前存储芯片行业技术壁垒最高、附加值最高的HBM赛道，长鑫科技尚未布局相关产能。

最致命的是，长鑫科技高度依赖中国市场，最大的优势是政策支持。国内市场既为长鑫提供了成长空间，也意味着它无法证明自己能在全球商业竞争中获得认可。这使得长鑫科技难以进入全球一线消费电子和服务器厂商的供应链，更无法成为全球DRAM市场一个稳定而有竞争力的参与者。

（大.纪.元;首发）

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