【大紀元6月25日訊】美國電腦業巨人IBM發表現今世界最快速的矽製電晶體，IBM可望在2年內製造比現在速度快上5倍的微晶片。

IBM預計，新推出的電晶體將在2年內促使通訊晶片速度攀升至100 GHz，為現在速度的5倍，也比競爭對手最近宣布計畫推出的時間早了4年。

電晶體採用改良的設計和IBM的矽鍺合成(SiGe)技術，達到210GigaHertz的速度，同時，只會耗用少量的毫安(培)電流，和現在的設計相較之下，IBM的技術改善80%的效能以及減少50%的耗電量。

IBM通訊研發中心副總裁Bernard Meyerson指出，有如當初大家以為客機無法突破因素一般，原先專家認為矽晶體無法突破200GHz的速度極限。

他說，跟通訊網路設備一樣，高效能電子零件製造商不需被迫採用新奇與昂貴的材料，才能超越速度的極限，矽元素未來仍將是晶片製造的優先媒介。
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