【大.纪.元;2024年09月11日讯】（大.纪.元;记者吴香莲编译报导）韩国警方逮捕了两名三星电子公司的前高管，罪名是涉嫌窃取价值超过4.3兆韩元（32亿美元）的商业机密和技术，用于在中国建造一座山寨版三星芯片制造厂。

首尔警察厅（SMPA）周二（9月10日）表示，这两人被确认为中国成都高真科技有限公司负责人，韩国人崔某，66岁，以及这家公司首席设计师，韩国人吴某，60岁。崔某曾任三星电子和SK海力士（SK Hynix Inc.）高阶主管，吴某曾担任三星高级研究员。

警方称，崔某在2020年9月与中共地方政府成立了一家联合半导体公司，他招募了包括吴某在内的大量韩国芯片专家，并通过该合资企业泄漏了三星的核心记忆体技术。吴某被指控在转职至成都高真科技有限公司后，在涉嫌的技术盗窃案中扮演关键角色。

警方表示，这两人去年与中共官员合作生产20纳米动态随机存取记忆体（DRAM）芯片，在2022年4月，崔某已经生产出了基本的开发产品，以测量其实际半导体功能。警方认为，这不仅损害了三星公司的利益，也“在各国陷入全球芯片大战时，削弱了国家竞争力”。

警方估计泄漏的三星技术的经济价值为4.3兆韩元（32亿美元）。警方表示，他们的调查成功阻止了这家中国企业的运作。目前，警方还在调查移居成都的、其他还在成都高真任职的前三星员工是否有进一步的技术泄漏。

韩国作为全球最重要的记忆体晶片生产国，是美国遏制中共科技野心的重要盟友。

责任编辑：李琳#